JFETs - Дистрибьютор электронных компонентов - Страницы 9

Производитель

Panasonic Electronic Components

National Semiconductor

Renesas Electronics Corporation

Diodes Incorporated

Microchip Technology

Toshiba Semiconductor and Storage

Microsemi Corporation

Texas Instruments

Infineon Technologies

Central Semiconductor Corp

Nisshinbo Micro Devices Inc.

Rochester Electronics, LLC

Qorvo

NTE Electronics, Inc

Solid State Inc.

Linear Integrated Systems, Inc.

InterFET

NTE Electronics, Inc

Intersil

Precision Monolithics

Harris Corporation

Fairchild Semiconductor

NEC Corporation

Sanyo

Linear Technology

Advanced Micro Devices

Burr Brown

Motorola

продукты

9 / 268 Страницы，Всего 3207 Данные Предыдущая страница | Следующая страница

Номер запчасти	Производитель	Описание	Запасы	Количество	Упаковка	Статус	Подробности
LT1464ACS8#PBF	Analog Devices Inc.	IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SO	1307	RFQ	Tube	Active	Подробности
AD823ANZ	Analog Devices Inc.	IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8DIP	2594	RFQ	Tube	Active	Подробности
AD711KNZ	Analog Devices Inc.	IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8DIP	5905	RFQ	Tube	Active	Подробности
AD8625ARZ	Analog Devices Inc.	IC OPAMP JFET 4 CIRCUIT 14SOIC	2528	RFQ	Tube	Active	Подробности
ADA4625-1ARDZ	Analog Devices Inc.	IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8SOIC	4479	RFQ	Tube	Active	Подробности
AD8610ARZ	Analog Devices Inc.	IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8SOIC	4074	RFQ	Tube	Active	Подробности
AD713JRZ-16-REEL7	Analog Devices Inc.	IC OPAMP JFET 4 CIRCUIT 16SOIC	2800	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Подробности
AD8513ARZ	Analog Devices Inc.	IC OPAMP JFET 4 CIRCUIT 14SOIC	2497	RFQ	Tube	Active	Подробности
AD8513ARUZ	Analog Devices Inc.	IC OPAMP JFET 4 CIRCUIT 14TSSOP	1102	RFQ	Tube	Active	Подробности
LT1465CS#PBF	Analog Devices Inc.	IC OPAMP JFET 4 CIRCUIT 14SO	3824	RFQ	Tube	Active	Подробности
ADA4625-2ARDZ	Analog Devices Inc.	IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC	10315	RFQ	Tube	Active	Подробности
AD8620ARZ-REEL7	Analog Devices Inc.	IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC	2000	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Подробности

9 / 268 Страницы，Всего 3207 Данные

JFETs

Транзисторы с эффектом поля (JFET) являются устройствами, используемыми в качестве электронных переключателей управления, усилителей или сопротивления сжатия. Разница потенциала, наложенная на соответствующий полюс между полем и источником, увеличивает сопротивление току, что означает, что меньше тока будет течь в канаве между полем источника и полем утечки. Поскольку заряд течет через полупроводниковые каналы между источниками и терминами утечки, JFETs не нуждаются в смещенном токе.